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根据韩国媒体的报道，三星官方宣布已经开始了7nm LPP工艺芯片的量产工作。该工艺相比10nm FinFET工艺面积能效可以提升40%以上，性能提升20%，功耗可以降低50%。

该工艺采用EUV光刻，使用波长的极紫外光曝光硅片，使得使用单个光罩来创建硅晶圆层成为可能。相比之下，传统的氟化氩(ArF)浸没式光刻则是依靠193nm波长，可能需要多达4倍的光罩才能创建相同的晶片。新技术可以节约时间和成本。

据悉，三星已经研究EUV技术18年了，从2000年开始着手研究该技术至今。同时，该EUV技术还未三星未来3nm工艺制程奠定基础和方向，预计2021年有望开辟3nm工艺生产线。

目前已知的高通新一代5G基带芯片，也就是骁龙X50的后续版本会采用这种工艺制程。而骁龙8150新一代处理器和骁龙8180笔记本处理器都有希望使用该工艺。