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最新消息1月6日消息 根据数码博主i冰宇宙的爆料，UFS 闪存的AndroBench跑分现已曝光，顺序读取速度达到了/s，顺序写入速度达到了/s，达到了目前优质NVMe固态的速度。

据i冰宇宙所说，这是一块1TB版本的UFS 闪存，读取速度达到了/s，顺序写入速度达到了/s，随机读取/s，随机写入/s。

据悉，2021年JEDEC固态技术协会推出了新的标准，相较上代的不仅带宽更高，电压也相较UFS 更低，可降低设备功耗与发热。UFS 标准单通道上可达到 Gbps，是UFS 标准的两倍，而双通道设计可以最高达到 Gbps的传输带宽，UFS 的工作电压为，相较上一代到更低。

在去年举办的4G/5G峰会上，三星透露将在2021年上半年推出UFS 商用产品，2021年将商用LPDDR5内存。